企业简介
锐迪科创微电子（北京）有限公司 main business:委托加工集成电路和移动通信系统、基站设备、交换设备及数字集群系统设备；设计、研究、开发集成电路和移动通信系统、基站设备、交换设备及数字集群系统设备；提供技术咨询、技术服务；销售自产产品；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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锐迪科创微电子（北京）有限公司的工商信息
- 110000410279380
- 91110108783200091B
- 开业
- 有限责任公司(台港澳与境内合资)
- 2005年12月20日
- 曾学忠
- 19333.333333
- 2005年12月20日 至 2035年12月19日
- 北京市工商行政管理局海淀分局
- 2018年03月07日
- 北京市海淀区知春路7号致真大厦B座1001-1005号
- 委托加工集成电路和移动通信系统、基站设备、交换设备及数字集群系统设备；设计、研究、开发集成电路和移动通信系统、基站设备、交换设备及数字集群系统设备；提供技术咨询、技术服务；销售自产产品；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。）
锐迪科创微电子（北京）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103825571B | 实现阻抗匹配的射频天线开关电路 | 2017.04.05 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种实现阻抗匹配的射频天线开关模块，包括管芯、模块输出端口、接地端 |
| 2 | CN103401514B | 低噪声放大器 | 2016.08.10 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电 |
| 3 | CN103401531B | 多模射频天线开关 | 2016.04.13 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种多模射频天线开关，包括：一个干路开关单元、至少一个支路开关单元 |
| 4 | TWI526006 | 射频前端电路及具有该电路的移动终端 | 2016.03.11 | 明公开了一种射频前端电路及具有该电路的移动终端。该射频前端电路中，驱动器(503、504)输出的信号 |
| 5 | CN102983823B | 射频功率放大集成电路及采用其的移动终端 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种具有功率控制功能的射频功率放大集成电路，由一功率控制器、三个功率单元模块、偏置电路以 |
| 6 | CN103941797B | 射频天线开关稳压电路 | 2016.01.20 | 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种射频天线开关稳压电路，包括电源电压输入端、二极管、电阻以及电压 |
| 7 | CN101908881A | 定向耦合器及包含该定向耦合器的射频功率放大器 | 2010.12.08 | 本发明定向耦合器及包含该定向耦合器的射频功率放大器。定向耦合器(403、503、603)，包括端接电 |
| 8 | CN103036509B | 适用于低噪声放大器的偏置电路 | 2015.07.15 | 本发明公开了一种适用于低噪声放大器的偏置电路，该偏置电路与低噪声放大器中的共源NMOS管和共栅NMO |
| 9 | CN102969995B | 应用于线性模式功率放大器的动态偏置控制电路 | 2015.05.06 | 本发明公开了一种应用于线性模式功率放大器的动态偏置控制电路，该动态偏置控制电路与功率放大电路相耦接， |
| 10 | CN104378093A | 使用MIPI标准电路的上电复位方法和电路 | 2015.02.25 | 本发明提供一种使用MIPI标准电路的上电复位方法和电路，属于集成电路技术领域。所述电路包括：依次耦接 |
| 11 | CN102355223B | 一种单芯片GSM射频天线开关模块及GSM射频前端 | 2014.08.27 | 本发明公开了一种单芯片GSM射频天线开关模块及GSM射频前端。该单芯片GSM射频天线开关模块包括射频 |
| 12 | CN103941797A | 射频天线开关稳压电路 | 2014.07.23 | 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种射频天线开关稳压电路，包括电源电压输入端、二极管、电阻以及电压 |
| 13 | CN103825571A | 实现阻抗匹配的射频天线开关电路 | 2014.05.28 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种实现阻抗匹配的射频天线开关模块，包括管芯、模块输出端口、接地端 |
| 14 | CN102347732B | 功率控制电路及具有功率控制电路的射频功率放大器模块 | 2014.05.14 | 本发明公开了功率控制电路及具有功率控制电路的射频功率放大器模块。功率控制电路的输出电压具有正比于控制 |
| 15 | CN103795432A | 高线性度多模射频天线开关电路 | 2014.05.14 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种高线性度多模射频天线开关电路，包括：天线、多个开关支路及多个信 |
| 16 | CN203377844U | 低噪声放大器 | 2014.01.01 | 本实用新型涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟 |
| 17 | CN103401531A | 多模射频天线开关 | 2013.11.20 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种多模射频天线开关，包括：一个干路开关单元、至少一个支路开关单元 |
| 18 | CN103401514A | 低噪声放大器 | 2013.11.20 | 本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电 |
| 19 | CN101916992B | pHEMT射频开关静电保护装置及包含该装置的射频前端模块 | 2013.07.31 | 本发明涉及pHEMT射频开关静电保护装置及包含该装置的射频前端模块。该pHEMT射频开关静电保护装置 |
| 20 | CN102184906B | 带有绝缘体填充的阱结构的封装基板及其制造方法 | 2013.05.08 | 本发明公开了一种带有绝缘体填充的阱结构的封装基板及其制造方法，其特征在于，所述封装基板具有至少一个阱 |
| 21 | CN103036509A | 适用于低噪声放大器的偏置电路 | 2013.04.10 | 本发明公开了一种适用于低噪声放大器的偏置电路，该偏置电路与低噪声放大器中的共源NMOS管和共栅NMO |
| 22 | CN102184917B | 采用四方扁平无引脚封装的GSM射频发射前端模块 | 2013.04.03 | 本发明公开了一种采用四方扁平无引脚封装的GSM射频发射前端模块，该模块的金属框架上包括：输出匹配网络 |
| 23 | CN102983823A | 射频功率放大集成电路及采用其的移动终端 | 2013.03.20 | 本发明公开了一种具有功率控制功能的射频功率放大集成电路，由一功率控制器、三个功率单元模块、偏置电路以 |
| 24 | CN102969995A | 应用于线性模式功率放大器的动态偏置控制电路 | 2013.03.13 | 本发明公开了一种应用于线性模式功率放大器的动态偏置控制电路，该动态偏置控制电路与功率放大电路相耦接， |
| 25 | CN101902243B | 可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端 | 2013.01.02 | 本发明涉及可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端。可配置多模式射频前端模块包括单刀多掷开关， |
| 26 | CN101908881B | 定向耦合器及包含该定向耦合器的射频功率放大器 | 2012.11.07 | 本发明定向耦合器及包含该定向耦合器的射频功率放大器。定向耦合器(403、503、603)，包括端接电 |
| 27 | CN101917166B | 可配置射频功率放大器及包含该放大器的射频发射前端模块 | 2012.09.19 | 本发明涉及可配置射频功率放大器及包含该放大器的射频发射前端模块。可配置射频功率放大器包括可配置射频功 |
| 28 | CN102355223A | 一种单芯片GSM射频天线开关模块及GSM射频前端 | 2012.02.15 | 本发明公开了一种单芯片GSM射频天线开关模块及GSM射频前端。该单芯片GSM射频天线开关模块包括射频 |
| 29 | CN102347732A | 功率控制电路及具有功率控制电路的射频功率放大器模块 | 2012.02.08 | 本发明公开了功率控制电路及具有功率控制电路的射频功率放大器模块。功率控制电路的输出电压具有正比于控制 |
| 30 | CN102184917A | 采用四方扁平无引脚封装的GSM射频发射前端模块 | 2011.09.14 | 本发明公开了一种采用四方扁平无引脚封装的GSM射频发射前端模块，该模块的金属框架上包括：输出匹配网络 |
| 31 | CN102184906A | 带有绝缘体填充的阱结构的封装基板及其制造方法 | 2011.09.14 | 本发明公开了一种带有绝缘体填充的阱结构的封装基板及其制造方法，其特征在于，所述封装基板具有至少一个阱 |
| 32 | CN101958703A | SOI CMOS射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块 | 2011.01.26 | 本发明涉及SOI CMOS射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块。SOI CMOS射频开关，包括 |
| 33 | CN201717849U | 多功率模式射频发射前端模块及包含该模块的移动终端 | 2011.01.19 | 本实用新型涉及多功率模式射频发射前端模块及包含该模块的移动终端。该前端模块的高功率模式射频功率放大器 |
| 34 | CN101917166A | 可配置射频功率放大器及包含该放大器的射频发射前端模块 | 2010.12.15 | 本发明涉及可配置射频功率放大器及包含该放大器的射频发射前端模块。可配置射频功率放大器包括可配置射频功 |
| 35 | CN101916992A | pHEMT射频开关静电保护装置及包含该装置的射频前端模块 | 2010.12.15 | 本发明涉及pHEMT射频开关静电保护装置及包含该装置的射频前端模块。该pHEMT射频开关静电保护装置 |
| 36 | CN101902243A | 可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端 | 2010.12.01 | 本发明涉及可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端。可配置多模式射频前端模块包括单刀多掷开关， |
| 37 | CN101373957A | 数字增益控制方法及电路 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种数字增益控制方法，通过N位二进制数字增益控制码控制可变增益放大器中的可变电阻的阻值进 |
| 38 | CN101373980A | 无线接收机及直流失调电压的消除方法 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种无线接收机，包括主信号通道上设置增益放大器，和另一路反馈通道依次连接的模数转换器、D |
| 39 | CN101373952A | 可实现差分放大的低噪声放大器及方法 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种可实现差分放大的低噪声放大器及方法，通过采用一控制逻辑模块来实现本发明所述低噪声放大 |
| 40 | CN101373982A | 高频无线接收前端电路 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种高频无线接收前端电路，依次由低噪放大器、混频器、缓冲电路和滤波器连接而成，所述缓冲电 |
| 41 | CN101373970A | 鉴相器电路及其实现方法 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种鉴相器电路及其实现方法，所述的鉴相器电路包括电流源、开关和输出端，每路输入信号均为一 |
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